İstanbul Üniversitesi
Research Laboratories Information System
Research Laboratories Information System
Nanoteknoloji Araştırma Laboratuvarı
Nanoteknoloji Araştırma Laboratuvarı
Fen fakültesi Fizik Bölümü Nanoteknoloji Araştırma Laboratuvarında nano parçacıklar kullanılarak, aygıt tasarımı, üretimi ve karakterizasyonu yapılmaktadır.
İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Katıhal Fiziği Anabilim Dalı, 34134 Vezneciler, Fatih, İstanbul TÜRKİYE
Toplam kullanılan BAP Kaynağı: 493.445,00 TL
Fen fakültesi Fizik Bölümü Nanoteknoloji Araştırma Laboratuvarında nano parçacıklar kullanılarak, aygıt tasarımı, üretimi ve karakterizasyonu yapılmaktadır.
Kimyasal yöntemler kullanılarak üretilen nano malzemeler, ince film hazırlama yöntemleriyle desteklenerek güneş pili ve sensör araştırmaları gerçekleştirilmektedir.
Berlin Teknik Üniversitesi ile işbirliğimiz çerçevesinde devam eden BAP destekli proje de nano boyuttaki Kuantum Noktalarını Bilgi saklama hücresi olarak kullanmayı hedefleyen Kuantum Noktaları Temelli Bellek Aygıtlar?ın tasarımı ve karakterizasyonu üzerine araştırmalar yapılmaktadır.
Gelecek nesil bellek aygıt olabilecek Kuantum Noktaları Temelli Bellek Aygıtların prototipleri üzerinde Bilgi Yazma/silme/okuma süreçleri ve kaydedilen bilgiyi saklama süreleri araştırmaları devam etmektedir.
İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Katıhal Fiziği Anabilim Dalı, 34134 Vezneciler, Fatih, İstanbul TÜRKİYE
Toplam kullanılan BAP Kaynağı: 493.445,00 TL
Nanotechnology Research Laboratory
Istanbul University, Science Faculty, Physics Department, Solid State Physics Division, 34134 Vezneciler, Fatih, Istanbul TURKEY
Total resource (BAP): 493.445,00 TL
Nanomaterials produced using chemical methods to solar cells and sensors research is carried out.
Collaboration with Technical University of Berlin, the design and characterization of Quantum Dot-Based Memory devices has being investigated.
Istanbul University, Science Faculty, Physics Department, Solid State Physics Division, 34134 Vezneciler, Fatih, Istanbul TURKEY
Total resource (BAP): 493.445,00 TL
Cihaz Adı : Havya
Marka : Weller
Model : WSD-81
Teknik Özellik : Dijital havya
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAPCihaz Adı : SICAKLIK KONTROL CIHAZI
Marka : Lakeshore
Model : 331s
Teknik Özellik : Bilgisayar kontrollü sıcaklık kontrolü
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAPCihaz Adı : MANYETIK KARISTIRICI
Marka : Dragon Lab
Model : M-10068
Teknik Özellik : Buharlaştırarak altın kaplama
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAPCihaz Adı : SPUTTERING
Marka : mti
Model : SPC-12
Teknik Özellik : Buharlaştırarak altın kaplama
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAPCihaz Adı : SPIN COATER
Marka : mti
Model : VTC-100A
Teknik Özellik : DÖNDÜREREK KAPLAMA CİHAZI 2 İNÇ
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAPCihaz Adı : Turbo Molküler Pompa istasyonu
Marka : Pfeiffer
Model : Hicube
Teknik Özellik : kompakt yüksek performanslı pompa istasyonu
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAPCihaz Adı : Turbo Molküler Pompa istasyonu
Marka : Pfeiffer
Model : Hicube
Teknik Özellik : kompakt yüksek performanslı pompa istasyonu
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAPCihaz Adı : Puls Jeneratörü
Marka : Agilent
Model : 33250A
Teknik Özellik : Function / Arbitrary Waveform Generator, 80 MHz
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAPCihaz Adı : Puls Jeneratörü
Marka : Agilent
Model : 81110A
Teknik Özellik : 165/330 MHz Darbe jeneratörü
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAPCihaz Adı : KAPALI DEVRE CRYOSTAT
Marka : ARS
Model : DE202-SE
Teknik Özellik : 10K-350K aralığında soğutma
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAPCihaz Adı : Kapasitansmetre
Marka : Boonton
Model : 7200
Teknik Özellik : 1Mhz kapasitansmetre
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAPCihaz Adı : Darbe Modlu Güç kaynağı
Marka : Keithley
Model : 2400
Teknik Özellik : DC tip 1KW darbe modlu güç kaynağı
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAPCihaz Adı : Darbe Modlu Güç kaynağı
Marka : Keithley
Model : 2430
Teknik Özellik : DC tip 1KW darbe modlu güç kaynağı
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAP
- Makale & Yayın (2)
- Sanayi İşbirliği (0)
- Patent (0)
- Dış Kaynaklı Çalışma (0)
- Faydalı Model (0)
- Ticarileşme (0)
- Proje (1)
- Adı : A write time of 6ns for quantum dot?based memory structures
Açıklama : The concept of a memory device based on self-organizedquantum dots(QDs) is presented, enabling extremely fast write times, limited only by the charge carrierrelaxation time being in the picosecond range. For a first device structure with embedded InAs/GaAsQDs, a write time of 6ns is demonstrated. A similar structure containing GaSb/GaAsQDs shows a write time of 14ns. These write times are independent of the localization energy (e.g., storage time) of the charge carriers and at the moment are limited only by the experimental setup and the parasitic cutoff frequency of the RC low pass of the device.
Ekip : Geller M. , Akçay N., Öncan N., Marent A., Bimberg D., Nowozin T. - Adı : Temperature and electric field dependence of the carrier emission processes in a quantum dot-based memory structure
Açıklama : Hole emission processes from self-organizedGaAs0.4Sb0.6/GaAsquantum dots embedded in a p-n diode are studied by capacitance-voltage spectroscopy. The method introduced allows the investigation of the temperature and electric field dependence of carrier emission with time constants from below nanoseconds up to thousands of seconds. Different emission processes are clearly distinguished, such as tunneling, phonon-assisted tunneling, and thermal activation, each important for quantum-dot-based memory structures. The erase time was determined to 1.5 ms for an electric field of about 200 kV/cm. At 500 kV/cm, 10 ns are predicted sufficient for fast erasing.
Ekip : Nowozin T., Akçay N., Öncan N., Bimberg D., Marent A., Geller M.
| Adı | Açıklama | Ekip |
|---|---|---|
| No records found. | ||
| Adı | Açıklama | Ekip |
|---|---|---|
| No records found. | ||
| Adı | Açıklama | Ekip |
|---|---|---|
| No records found. | ||
| Adı | Açıklama | Ekip |
|---|---|---|
| No records found. | ||
| Adı | Açıklama | Ekip |
|---|---|---|
| No records found. | ||
| Tip | Adı | Açıklama | Ekip |
|---|---|---|---|
| Proje (BAP) | İki Boyutlu Boşluk Gazı ve Kuantum Noktaları İçeren Yarıiletken Yapıların Elektriksel Özelliklerinin İncelenmesi | Bir p-n ekleminin arınma bölgesi civarında bulunan Kuantum Noktaları ve iki boyutlu boşluk gazı içeren örneklerin farklı sıcaklıklarda elektriksel özellikleri (iletkenlik, kapasitans, empedans) özellikleri incelenecektir. III-V grubu yarıiletkenlerinden oluşan Kuantum Noktalarında, taşıyıcı bulundurma süresi, Kapasitans ve derin tuzak geçiş spektroskopisi (DLTS) ile bulunmaya çalışılacaktır. Kuantum noktalarında bulanan taşıyıcılar ile iki boyutlu boşluk gazındaki boşlukların etkileşimi Kapasite-Voltaj (C-V) ve iletkenlik ölçümleriyle incelenecektir. İki boyutlu boşluk gazının direncinin ölçülmesi ile Kuantum Noktalarında depolanan taşıyıcılar hakkında bilgi ve okuma süreci belirlenmeye çalışılacaktır. | Prof.Dr. Nurten Öncan, Yrd.Doç.Dr. Namık Akçay, Yrd.Doç.Dr. Gökhan Algün, İsmail Fırat arıkan |
© 2019 İstanbul Üniversitesi
Bilgi İşlem Daire Başkanlığı