İstanbul Üniversitesi
Research Laboratories Information System
Research Laboratories Information System
İnce Film ve Kusur Karakterizasyon Labrovatuvarı
İnce Film ve Kusur Karakterizasyon Labrovatuvarı
Laboratuvarımızda yarı iletkenlerde kusurların oluşturduğu enerji seviyeleri CV, IV ve DLTS gibi elektriksel ölçüm yöntemler kullanılarak karakterize edilmektedir. Ayrıca TID ve TIDIF yöntemleri kullanılarak bazı hızlı kusurların difüzyonu çeşitli host malzemelerde incelenebilmektedir.
İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Genel Fizik Anabilim Dalı, 34134 Vezneciler, Fatih, İstanbul TÜRKİYE
Toplam kullanılan BAP Kaynağı: 10.620,00 TL
Laboratuvarımızda yarı iletkenlerde kusurların oluşturduğu enerji seviyeleri CV, IV ve DLTS gibi elektriksel ölçüm yöntemler kullanılarak karakterize edilmektedir. Ayrıca TID ve TIDIF yöntemleri kullanılarak bazı hızlı kusurların difüzyonu çeşitli host malzemelerde incelenebilmektedir.
İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Genel Fizik Anabilim Dalı, 34134 Vezneciler, Fatih, İstanbul TÜRKİYE
Toplam kullanılan BAP Kaynağı: 10.620,00 TL
Defect Characterization Laboratory
In our Lab we use CV, IV and DLTS techniques to characterize energy levels of different types of defect in semiconductors. We also employ TID and TIDIF techniques to investigate some fast diffusing impurities in different host environments.
Istanbul University, Science Faculty, Physics Department, General Physics Division, 34134, Vezneciler, Fatih, Istanbul TURKEY
Total resource (BAP): 10.620,00 TL
In our Lab we use CV, IV and DLTS techniques to characterize energy levels of different types of defect in semiconductors. We also employ TID and TIDIF techniques to investigate some fast diffusing impurities in different host environments.
We mainly use
electrical techniques to characterize various defects in semiconductors.
Specifically available techniques in our lab are CV, IV, AC and DLTS. Moreover,
similar to DLTS, we can employ TID and TIDIF algorithms to investigate the
diffusion of certain elements, like Copper, Iron, Lithium, in various host
environments. A recent addition to these techniques is the LDLTS, which can
determine the defect parameters much more sensitively than its predecessor
DLTS.
Istanbul University, Science Faculty, Physics Department, General Physics Division, 34134, Vezneciler, Fatih, Istanbul TURKEY
Total resource (BAP): 10.620,00 TL
Cihaz Adı : CCR 9K-800K Crystat
Marka : Janis Research
Model : 311-T2
Teknik Özellik : 9K-800K sıcaklığı aralığında kontrol edilebilir crystat sistemi
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAP
Alım Tarihi : 15/01/2011Cihaz Adı : Vakum Sistemi
Marka : Edwards
Model : Belirtilmemiş
Teknik Özellik : Sistem Turbo Moleküler Pompa, Pirani Vakum Ölçüm cihazı, ön valf, Rotary, Vakum Pompası ve İyonizasyon Vakum Ölçüm cihazı ve Kontrol Sisteminden oluşmaktadır.- Sistem son basınç değeri 10-8 Pascal dır.
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAP
Alım Tarihi : 15/01/2011Cihaz Adı : ANALOG KAPASİTANSMETRE
Marka : Boonton
Model : 7200
Teknik Özellik : Kapasite ölçüm sahası 2,20,200,2000 pF kademelerinde ve 0-2000 pF arasıdır. Test frekansı kristal kontrollü 1MHz dir. Test seviyesi 15,30,50 ve 100 mV kademelerinde seçilebilirdir.
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAP
Alım Tarihi : 15/01/2011Cihaz Adı : BUEHLER BETA ÇIFT TABAKALI ZIMPARALAMA PARLATMA CİHAZI
Marka : BUEHLER BETA
Model : 60-1990
Teknik Özellik : 50 rpm ile 500 rpm arası kademesiz ayarlanabilir hız.
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAP
Alım Tarihi : 28/06/2010Cihaz Adı : Low Speed DMM
Marka : Agilent
Model : 34420A
Teknik Özellik : DC Gerilim, Hassasiyet 1 nV, Çözünürlük 6.5 digits
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAP
Alım Tarihi : 10/10/2010Cihaz Adı : SICAKLIK KONTROL BIRIMI
Marka : Lakeshore
Model : 325-T1
Teknik Özellik : 1.4 K den 1000 K e kadar sıcaklık aralığında yüksek performanslı
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAP
Alım Tarihi : 25/11/2010Cihaz Adı : DIGITIZING MULTIMETER
Marka : Agilent
Model : 3458A
Teknik Özellik : DC voltaj, Resistans, AC voltaj, DC akım, AC akım, Frekans ve periyot ölçer. Okuma hızı saniyede 100.000 dir. 8,5 basamağa kadar ölçüm hassasiyetlidir.
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAP
Alım Tarihi : 10/10/2010Cihaz Adı : NI PCL-6251 COMPLETE
Marka : National Instruments
Model : PCL-6251
Teknik Özellik : İk adet 16-bit lik analog output, 24 digital I/O sayaç Analog ve digital tetikleme Cihazla birlikte Screw terminali ve kablo Windows /7/XP/Vista uyumlu Labview sürücüleri mevcut PCI ve PCI expres uyumlu Laplace DLTS Programıyla uyumlu
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAP
Alım Tarihi : 15/01/2011Cihaz Adı : FONKSIYON GENERATÖRÜ
Marka : Agilent
Model : 81150A
Teknik Özellik : 1 MikroHz-120 MHz arasında değişen artış/azalış zamanına sahip sinyal jenaratörü. 14-bit, 2 GSa/s rastgele dalga şekli (arbitrary waveform). Darbe, sinüs, kare, rampa, gürültü, rastgele dalga şeklini ayarlanabilir FM, AM, PM, PWM, FSK modulasyonları mevcut.
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAP
Alım Tarihi : 10/10/2010Cihaz Adı : TURBO MOLEKÜLER POMPA SISTEMI
Marka : Edwards
Model : belirtilmemiş
Teknik Özellik : Turbo moleküler pompa için ; Son basınç değeri 10-8 Torr. Pompalama hızı 70 lt/saniye
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAP
Alım Tarihi : 15/01/2011Cihaz Adı : Rotary Pompası
Marka : Edwards
Model : Belirtilmemiş
Teknik Özellik : Son basınç değeri 1 x 10-3 Pascal
Miktar : 1
Cihaz Kaynağı : BAP
Alım Tarihi : 16/01/2011
- Makale & Yayın (3)
- Sanayi İşbirliği (0)
- Patent (0)
- Dış Kaynaklı Çalışma (0)
- Faydalı Model (0)
- Ticarileşme (0)
- Proje (1)
- Adı : Muonium dynamics in transparent conducting oxides
Açıklama : The motional and electrical properties of positively charged muonium (Mu+) centers in single crystal ß-Ga2O3 are investigated via zero field muon spin relaxation (ZF-MuSR). Below room temperature we find two distinct shallow muonium centers with ionization energies of 7 and 16 meV. Above room temperature, at least three different Mu+ signals are resolved; two of these are metastable while the third shows characteristics of a stable ground state. As the temperature is elevated, metastable centers undergo several transitions. We obtain the relevant barrier energies associated with these site-change transitions. By 700 K, most muons occupy the mobile ground state, and an activation energy of about 1.65 eV is inferred for Mu+ diffusion from the hop rates obtained for this state.
Ekip : Çelebi Y.G., Lichti R.L., Baker B., Bani-Salameh H.N. , Mengyan P., Catak E. - Adı : Muonium transitions in Ge-rich SiGe alloys
Açıklama : We discuss charge-state and site-change transitions of muonium (Mu) in bulk Czochralski-grown Si1?xGex alloys studied via longitudinal field muon spin relaxation (LF-?SR). A useful application of the muon spin research technique utilizes the similarities of neutral muonium (Mu0=?+e?) to the hydrogen atom to provide an experimentally accessible analog to hydrogen. This contribution focuses primarily on three Ge-rich samples (x=0.94, 0.91 and 0.81) as well as a general discussion of the compositional trends of Mu chemical states and associated transition dynamics. These LF-?SR results, in conjunction with prior muon spin research studies, allow an extensive description of Mu defect chemistry in Si1?xGex as part of a larger project that has focused on the compositional trends in Mu hyperfine frequencies as well as the acceptor and donor energies.
Ekip : Mengyan P., Lichti R.L., Çelebi Y.G., Carroll B. , Baker B., Bani-Salameh H.N. - Adı : Motion of positively charged muonium in ZnO
Açıklama : We report on a study of the motional characteristics of positively charged muonium defect centers in ZnO as an analog for H+ behavior. Muon spin depolarization measurements at zero applied magnetic field were completed from 20 K to 400 K, with preliminary results to 750 K. Results at the lower temperatures imply that Mu+ occupied two sites, and indicate local motion as thermally assisted tunneling with a characteristic energy of ~60 meV, as well as a site change transition above 200 K with barrier energy ~440 meV. Based on theoretical results, we have tentatively assigned these features to tunneling among three equivalent oxygen anti-bonding sites (AB?) and a transition to a lower-energy bond-centered site (BC?) oriented along the c-axis. Preliminary fits suggest that global diffusion of muonium occurs above 400 K, with a diffusion barrier energy of ~0.7 eV.
Ekip : Baker B., Lichti R.L., Çelebi Y.G., Mengyan P., Bani-Salameh H.N.
| Adı | Açıklama | Ekip |
|---|---|---|
| No records found. | ||
| Adı | Açıklama | Ekip |
|---|---|---|
| No records found. | ||
| Adı | Açıklama | Ekip |
|---|---|---|
| No records found. | ||
| Adı | Açıklama | Ekip |
|---|---|---|
| No records found. | ||
| Adı | Açıklama | Ekip |
|---|---|---|
| No records found. | ||
| Tip | Adı | Açıklama | Ekip |
|---|---|---|---|
| Proje (BAP) | Demir ve Bakır Kusurlarının p-Si içindeki Difüzyonu ve Bu Kusurların Yarattığı Seviyelerin Tayini | Yarıiletken/Metal yapılarda arayüzeyde kusurların DLTS yöntemi ile incelenmesi | Erdal ÇATAK, Hüseyin UYSAL |
© 2019 İstanbul Üniversitesi
Bilgi İşlem Daire Başkanlığı